Таким образом, в настоящий момент удалось определить набор свойств мультиэлектронного носителя тока, необходимый для прогнозирования.
Так, согласно мультиэлектронной теории, было установлено, что создание комнатнотемпературного сверхпроводника (образование мультиэлектронов путем преодоления Кулоновского барьера) принципиально возможно путем “химического сжатия”, т.е. формированием кристаллической структуры с заданным соотношением размера решетки и коэффициента линейного термического расширения (КЛТР). Именно этим путем сейчас идет большинство экспериментаторов. Однако в реальности, этот путь (для купратов) себя практически исчерпал. Об этом свидетельствует тот факт, что при температурах более 135 К (максимальная достигнутая Тс) происходит разрушение решетки, из-за потери её устойчивости.
Вместе с этим теория указывает и другой, новый путь создания КТСП. Он связан с тем, что мультиэлектрон в валентной зоне кристаллов представляет собой электронную пару (электронный ион), осуществляющую всем известную ковалентную связь. Поэтому задача представляется весьма конкретной: синтезировать структуру, в которой возможно перемещение мультиэлектрона из связанного состояния в зону проводимости без разрушения кристалла при комнатной температуре. Такая постановка задачи позволяет выбрать наиболее перспективные материалы и сформулировать основные требования к технологии КТСП.