Выполнена видеозапись подтверждения сверхпроводимости при комнатной температуре и выше (350 С). Созданная на ФГУП НИИЭТ (г.Воронеж) структура SIS продемонстрирована В.Л. Деруновым на специальном стенде. Наглядно продемонстрированы эффекты Джозефсона на переменном и постоянном токе при комнатной температуре. Показан фотоэффект квантованного поглощения свч энергии, характерный для сверхпроводника. Продемонстрированы на характериографе ВАХ сверхпроводящего транзистора, подтверждающие возможность управления лавинными процессами в сверхпроводнике.
Доложены результаты магнитных измерений, также соответствущие характеристикам диамагнитной проницаемости при сверхпроводимости.
Даны оценки электронным характеристикам, значительно превышающие подобные параметры для известных электронных приборов.
Выполненные впервые комплексные измерения легли в основу разработки нанотехнологии производства сверхпроводящего транзистора в России.

Демонстрация тестов комнатнотемпературной сверхпроводимости

http://narod.ru/disk/7857308000/%D0%92%D1%8B%D1%81%D1%82%D1%83%D0%BF%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5%20%D0%92.%D0%9B.%D0%94%D0%B5%D1%80%D1%83%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D0%B0.wmv.html